تقرير: SK Hynix تستكشف تقنية تغليف HBM4 الجديدة، بهدف تحقيق أداء NVIDIA الرائد

تطور SK hynix تقنية تغليف مبتكرة لذاكرة الجيل القادم عالية النطاق الترددي لاختراق عنق الزجاجة في أداء HBM4 دون زيادة كبيرة في الإنفاق الرأسمالي.

وفقا لتقرير صادر عن تريند فورس نقلا عن ZDNet يوم الثلاثاء، كشفت مصادر في الصناعة،تروج SK hynix لخطة تحسين بنية الحزمة تشمل زيادة سمك شرائح DRAM وتقليل التباعد بين طبقات DRAM، والتقنية حاليا في مرحلة التحقق. إذا تم تسويقها بنجاح، من المتوقع أن يساعد هذا الحل SK hynix في تحقيق أعلى مؤشرات الأداء التي وضعتها NVIDIA للجيل السادس من HBM4 ويضع الأساس لتحسين الأداء في المنتجات اللاحقة.

بالنسبة للسوق، تكمن الأهمية المحتملة لهذه التقنية في انخفاض استثمارها الرأسمالي - فإذا تم تنفيذ الإنتاج الضخم، من المتوقع أن تعزز SK hynix ريادتها التكنولوجية في المشهد التنافسي للصواريخ البريطانية السوداء، مع توفير حلول ذاكرة أكثر تنافسية للعملاء في المراحل النهائية مثل Nvidia. ومع ذلك، أشار التقرير أيضا إلى أنه قد تكون هناك تحديات لا تزال قائمة في توسيع التكنولوجيا إلى مرحلة الإنتاج الضخم.

زيادة كثافة DRAM لتعزيز الاستقرار، وتقليل التباعد بين الطبقات، وتحسين الكفاءة ومعدل النقل

القيد الأساسي لتحسين أداء HBM4 ينبع من مضاعفة عدد أنظمة الإدخال/الإخراج مقارنة بالجيل السابق حتى عام 2048. وفقا للتقارير، فإن تخطيط الإدخال/الإخراج الأكثر كثافة يزيد بشكل كبير من عرض النطاق الترددي، كما يزيد بشكل كبير من خطر التداخل في الإشارة. وفي الوقت نفسه، فإن كيفية نقل الجهد بكفاءة من شريحة المنطق السفلية إلى DRAM العلوي يشكل أيضا صعوبة تقنية على مستوى مزود الطاقة.

يشير هذان التحديان معا إلى تحسين هندسة التغليف، وهو أيضا نقطة انطلاق لاستكشاف التكنولوجيا لدى SK hynix.

الإجراء الأساسي الأول في خطة SK hynix الجديدة هو زيادة سمك شريحة DRAM العلوية بشكل معتدل. العمليات التقليدية عادة ما تخفف DRAM من خلال الطحن الخلفي لتلبية متطلبات الارتفاع الإجمالي HBM4 البالغ 775 ميكرون. ومع ذلك، يمكن أن يؤدي التخفيف المفرط إلى انخفاض الأداء وجعل الشريحة أكثر حساسية للصدمات الخارجية.

من خلال زيادة سمك DRAM، تهدف SK hynix إلى تعزيز استقرار البنية العامة ل HBM4، وبالتالي تقليل خطر فقدان العائد الناتج عن الإجهاد الفيزيائي.

الإجراء الثاني هو تقليل تباعد طبقات DRAM. يساعد الترتيب الأكثر إحكاما بين الطبقات على تسريع نقل البيانات وتقليل الطاقة المطلوبة لتوصيل الجهد إلى ذاكرة DRAM في الطبقة العليا دون زيادة الارتفاع الكلي للعبة.

ومع ذلك، فإن تضييق تباعد الطبقات يمثل تحديا جديدا في العملية: حيث سيتم تقليل استقرار حقن MUF (الردم الداخلي المصبوب) بشكل كبير. MUF هو مادة واقية وعازلة، وعندما يتم ملؤه بشكل غير متساو أو ظهور فراغات، فإنه يؤدي مباشرة إلى عيوب في الشقيق.

لهذا الغرض، طورت SK hynix تقنية تغليف جديدة تهدف إلى تضييق تباعد طبقات DRAM مع الحفاظ على عائد مستقر دون إجراء تغييرات واسعة النطاق على العمليات أو المعدات الحالية. أفادت الفحوصات الداخلية الحديثة بنتائج إيجابية.

آفاق التسويق التجارية واعدة، لكن تحديات الإنتاج الضخم لا تزال قائمة

إذا تم تسويق التكنولوجيا بنجاح، فإن أبرز ميزاتها هي أنها تستطيع تحسين أداء الصواريخ الضخمة دون نفقات رأسمالية كبيرة، وهو أمر مهم لمصنعي أشباه الموصلات الذين يبحثون عن توازن بين التكلفة والفائدة في المنافسة عالية الكثافة في البحث والتطوير.

ومع ذلك، يشير التقرير أيضا إلى أنه من مرحلة التحقق وحتى الإنتاج الضخم على نطاق واسع، لا تزال الاستقرار الفني واتساق العمليات مشكلات لم تحل. حاليا، تقوم SK hynix بنشاط بتعزيز أعمال التحقق ذات الصلة، ولم يتم تحديد الجدول الزمني للتسويق التجاري بعد.

تحذير من المخاطر وتحذير المسؤولية

        السوق محفوف بالمخاطر، ويجب على الاستثمار أن يكون حذرا. هذه المقالة لا تشكل نصيحة استثمارية شخصية ولا تأخذ في الاعتبار الأهداف الاستثمارية المحددة أو الوضع المالي أو احتياجات المستخدمين الأفراد. يجب على المستخدمين التفكير فيما إذا كانت أي آراء أو استنتاجات الواردة في هذا المقال تتوافق مع ظروفهم الخاصة. استثمر وفقا لذلك على مسؤوليتك الخاصة.