中信證券：繼續看好存儲需求超預期 预计行業供不應求將持續至27H1

中信證券研報指出，2月以來，隨鉅俠業績及指引超預期、NAND一季度合約價上調、以及國內模組廠商佰維存儲發布1-2月業績公告超預期，進一步驗證了存儲行業景氣度維持高位。中信證券繼續看好存儲需求超預期，預計行業供不應求將持續至27H1，核心推薦短期業績爆發性強的存儲模組公司、存儲原廠及貼近原廠的設計公司。

全文如下

存儲｜Q1 NAND合約價漲幅再度上調，模組廠商業績指引強勁（2026年2月）

2月以來，隨鉅俠業績及指引超預期、NAND一季度合約價上調、以及國內模組廠商佰維存儲發布1-2月業績公告超預期，進一步驗證了存儲行業景氣度維持高位。我們繼續看好存儲需求超預期，預計行業供不應求將持續至27H1，核心推薦短期業績爆發性強的存儲模組公司、存儲原廠及貼近原廠的設計公司。

▍一、2026年2月價格回顧（Bloomberg，CFM閃存市場，TrendForce）

1）DRAM：在經歷1月環比大漲後，2月DRAM現貨和合約價格漲幅放緩。根據Bloomberg，2月主流顆粒現貨價環比-3%~+12%；DDR5-8Gb /DDR4-8Gb合約價環比+4%/+8%。

2）NAND Flash：2月繼續保持環比快速上漲，漲幅相對收斂。根據Bloomberg，2月主流顆粒現貨價環比+10%~+26%，合約價環比+37% ~+67%。

3）模組：2月DDR4/5內存條現貨價格環比基本走平，SSD環比0~+13%，移動存儲環比+10%~+25%；2月DDR5內存條合約價格環比+4%~+18%，DDR4價格走平；SSD環比+6%~+18%。（註：由於當前現貨市場價格波動較大，合約議價周期縮短，因此不同資料來源的存儲價格存在差異）

▍二、價格展望（TrendForce Mar. 2026）

1）DRAM：預計Q1傳統DRAM合約價上漲90%~95%（未調整）；2月底，據韓媒sedaily，三星電子和SK海力士已向客戶發出通知，25Q2將繼續大幅提高DRAM價格；據台媒“PCDIY！”報導，SK海力士於春節後向客戶發出漲價通知，DDR5顆粒26Q2將漲價40%。

2）NAND Flash：由於AI伺服器需求保持強勁，供需嚴重失衡，原廠漲價意願強烈，上調Q1整體合約價漲幅至85%~90%（此前預期55% ~60%）。

3）利基存儲：NOR Flash方面，台系廠商陸續減少中小容量NOR Flash產能，這將導致NOR產能收斂、供需改善，我們預計NOR Flash 26H1將保持上漲，Q1漲幅整體超過20%，中小容量NOR漲幅更大。SLC NAND Flash方面，海外原廠如美光、鉅俠、三星陸續減少供應，我們預計在供給收縮下26H1價格漲幅有望接近主流TLC/QLC產品。

▍三、海外原廠對需求端判斷

SK海力士：公司預計2026年DRAM bit需求同比增速20%以上，NAND bit需求同比增速15%~20%（高十幾）；DRAM及NAND庫存僅剩約4周，2026年所有客戶的需求都無法得到完全滿足；

閃迪：公司預計2026年資料中心bit需求增長將超過60%；

鉅俠：公司預計NAND市場中長期bit需求將以約20% CAGR增長；HyperScaler LTA已經談至2027-28年；公司指引FY4Q25（CY1Q26）營收環比成長55%~72%，超市場預期。

▍四、國內存儲廠商業績預期

佰維存儲：公司預計1~2月營收40~45億元，同比+340%~395%；預計1~2月歸母淨利潤15~18億元，同比+922%~1086%，歸母扣非淨利潤13.5~16.0億元，剔除股份支付後歸母淨利潤15.3~18.3億元，超市場預期。

▍風險因素：

海外CSP廠商AI CAPEX不及預期；消費電子下游需求走弱；存儲價格提升不及預期；行業競爭加劇；技術革新風險；國際貿易摩擦風險等。

▍投資策略：

我們繼續看好存儲需求超預期，預計行業供不應求將持續至27H1，核心推薦：1）存儲模組公司：短期業績爆發能力強；2）存儲設計公司：持續推薦存儲原廠及貼近原廠的設計公司。

（資料來源：財聯社）