三星電子加速研發下一代高帶寬內存 首批HBM4E將於5月生產


三星電子正全力推進其下一代高帶寬內存(HBM)產品的研發進程,力求在高端人工智能內存市場進一步鞏固自身的優勢。據報導,三星電子計劃最早於2026年5月生產出首批符合英偉達標準的HBM4E樣品。業內人士透露,三星有著明確且緊湊的時間規劃。其目標是在下月中旬之前,讓代工部門成功生產出HBM4E核心邏輯晶片的樣品。
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APY Daydreamer
· 49分鐘前
英偉達標準=門檻,能過就是通行證。
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Yield Yeti
· 54分鐘前
如果HBM供給放大,AI算力成本可能真的會往下走一點點。
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透明穹顶城
· 58分鐘前
希望別再搞“紙面量產”,真正出貨給大客戶才算贏,等明年再看數據。
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海盐味空投
· 58分鐘前
覺得HBM才是AI軍備競賽的隱形王者,誰掌握產能誰更硬氣。
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Yield慢炖锅
· 59分鐘前
市場層面:HBM消息一出,A股/韓股半導體又要來一波情緒了。
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复古收音机电波
· 1小時前
#Gate廣場 這條順帶問下,ETH這邊你們更看基本面還是跟著宏觀流動性走?
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Yield Garden Kid
· 1小時前
HBM核心邏輯晶片先讓代工部門打樣,這個節點很關鍵,封裝/堆疊配合也別掉鏈子。
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折叠的收益率
· 1小時前
別忘了還有台積電CoWoS、先進封裝產能這些瓶頸,光內存強不夠。
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蜡封的私钥
· 1小時前
AI記憶這條賽道卷瘋了。
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